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FDP027N08B

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

compliant

FDP027N08B Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 178 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13530 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 246W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

HUFA76409D3ST
IPI144N12N3G
IPB60R600CPATMA1
IRF7210PBF
AOT462L
NTD65N03RG
NTD65N03RG
$0 $/morceau
NTB18N06T4G
NTB18N06T4G
$0 $/morceau
AON7202L
NVMFS5C442NLT1G
NVMFS5C442NLT1G
$0 $/morceau

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