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FDP054N10

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

FDP054N10 Fiche de données

compliant

FDP054N10 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.84000 $4.84
10 $4.31800 $43.18
100 $3.54080 $354.08
500 $2.86718 $1433.59
1,000 $2.41811 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 203 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13280 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 263W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IXFK180N15P
IXFK180N15P
$0 $/morceau
PMV19XNEAR
PMV19XNEAR
$0 $/morceau
CPH6414-TL-E
CPH6414-TL-E
$0 $/morceau
IRLZ34NPBF
RCX120N25
RCX120N25
$0 $/morceau
FCB125N65S3
FCB125N65S3
$0 $/morceau
FDH3632
FDH3632
$0 $/morceau
IRFL4105TRPBF
IPP024N08NF2SAKMA1
BSZ100N03MSGATMA1

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