Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FDP18N20F

FDP18N20F

FDP18N20F

onsemi

MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3

FDP18N20F Fiche de données

compliant

FDP18N20F Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.67000 $1.67
10 $1.48300 $14.83
100 $1.18060 $118.06
500 $0.92412 $462.06
1,000 $0.73759 -
250 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 145mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1180 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 100W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

NVMYS3D3N06CLTWG
NVMYS3D3N06CLTWG
$0 $/morceau
SIHFZ48S-GE3
SIHFZ48S-GE3
$0 $/morceau
IRFBG20PBF-BE3
IRFBG20PBF-BE3
$0 $/morceau
BSS806NEH6327XTSA1
NTD3813N-35G
NTD3813N-35G
$0 $/morceau
BUZ31H3046
R6009KNJTL
R6009KNJTL
$0 $/morceau
BUK964R1-40E,118
IXFA230N075T2-7
IXFA230N075T2-7
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.