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FDP2572

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3

FDP2572 Fiche de données

compliant

FDP2572 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.32000 $2.32
10 $2.09500 $20.95
100 $1.68370 $168.37
800 $1.18236 $945.888
1,600 $1.08508 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta), 29A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 54mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1770 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 135W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

PSMN1R2-30YLDX
NVTFS6H860NLWFTAG
NVTFS6H860NLWFTAG
$0 $/morceau
IRFD220PBF
IRFD220PBF
$0 $/morceau
SIHF5N50D-E3
SIHF5N50D-E3
$0 $/morceau
SIHH27N60EF-T1-GE3
SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
$0 $/morceau
FDD6N50TM
FDD6N50TM
$0 $/morceau
SISS22DN-T1-GE3

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