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FDP2D3N10C

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3

non conforme

FDP2D3N10C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $3.71745 $2973.96
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 222A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 700µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 11180 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 214W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

NTTFS4824NTAG
NTTFS4824NTAG
$0 $/morceau
NVD5C434NT4G
NVD5C434NT4G
$0 $/morceau
FQP10N20C
FQP10N20C
$0 $/morceau
NTHL160N120SC1
NTHL160N120SC1
$0 $/morceau
IXTH02N250
IXTH02N250
$0 $/morceau
DMN10H220LK3-13
FQPF12N60C-FS
RJK005N03T146
FQB27N25TM-F085

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