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FDP8N50NZ

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onsemi

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3

FDP8N50NZ Fiche de données

compliant

FDP8N50NZ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.39000 $1.39
10 $1.23500 $12.35
100 $0.97590 $97.59
500 $0.75678 $378.39
1,000 $0.59747 -
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Last Time Buy
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 500 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 735 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 130W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

AOD4186
APT14M100S
APT14M100S
$0 $/morceau
FDC855N
FDC855N
$0 $/morceau
AOD4184A
FDD86326
FDD86326
$0 $/morceau
IRFS7734TRL7PP
ZVN4206AVSTZ
IXTA3N110-TRL
IXTA3N110-TRL
$0 $/morceau
FQP3N30
FQP3N30
$0 $/morceau
IXFH40N50Q
IXFH40N50Q
$0 $/morceau

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