Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FDPF51N25

FDPF51N25

FDPF51N25

onsemi

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F

FDPF51N25 Fiche de données

non conforme

FDPF51N25 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.09000 $3.09
10 $2.79500 $27.95
100 $2.26190 $226.19
500 $1.77682 $888.41
1,000 $1.48583 -
6714 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Last Time Buy
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 51A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3410 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 38W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F-3
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

SI8810EDB-T2-E1
AOD407
SIHB22N60E-GE3
SIHB22N60E-GE3
$0 $/morceau
APT34M120J
APT34M120J
$0 $/morceau
G3R350MT12D
IXFP72N20X3M
IXFP72N20X3M
$0 $/morceau
AOTF9N50
RFP8P10
RFP8P10
$0 $/morceau
SIS415DNT-T1-GE3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.