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FDR8305N

FDR8305N

FDR8305N

onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

FDR8305N Fiche de données

compliant

FDR8305N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1600pF @ 10V
puissance - max 800mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-8
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Numéro de pièce associé

SI4944DY-T1-E3
SI4944DY-T1-E3
$0 $/morceau
IRF5810TRPBF
AO4914
IRF7314PBF
FDS6930A
SI3951DV-T1-E3
SI3951DV-T1-E3
$0 $/morceau
FDG6303N_G
FDG6303N_G
$0 $/morceau
IPP60R380E6

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