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FDS3812

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onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

FDS3812 Fiche de données

compliant

FDS3812 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 80V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.4A
rds activé (max) à id, vgs 74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 634pF @ 40V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SIZ920DT-T1-GE3
NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
$0 $/morceau
SI5944DU-T1-GE3
US5K3TR
US5K3TR
$0 $/morceau
SH8K5TB1
SH8K5TB1
$0 $/morceau
SIZ700DT-T1-GE3
AON6924
AO4618
IRLHS6276TR2PBF

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