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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
fonctionnalité FET | Logic Level Gate |
Tension drain-source (vdss) | 80V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 4.7A |
rds activé (max) à id, vgs | 44mOhm @ 4.7A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 4V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 35nC @ 10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1180pF @ 40V |
puissance - max | 900mW |
température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
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