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FDS3912

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

FDS3912 Fiche de données

compliant

FDS3912 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3A
rds activé (max) à id, vgs 125mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 632pF @ 50V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

ZDM4206NTC
ZDM4206NTC
$0 $/morceau
IPG15N06S3L-45
IPG20N06S3L-35
IRF7750TR
IRF7750TR
$0 $/morceau
SP8K31FRATB
SP8K31FRATB
$0 $/morceau
DMC3061SVT-7
IRF7325TR
IRF7325TR
$0 $/morceau
ECH8659-M-TL-H
ECH8659-M-TL-H
$0 $/morceau

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