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FDS6890A

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

FDS6890A Fiche de données

non conforme

FDS6890A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.69063 -
5,000 $0.65801 -
12,500 $0.63470 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.5A
rds activé (max) à id, vgs 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2130pF @ 10V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

ALD1107PBL
SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_BE3
SI4904DY-T1-GE3
TPS1120D
TPS1120D
$0 $/morceau
SI1967DH-T1-GE3
APTC60TDUM35PG
CSD87351ZQ5D
CSD87351ZQ5D
$0 $/morceau

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