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FDS6900AS-G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

non conforme

FDS6900AS-G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.9A, 8.2A
rds activé (max) à id, vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 600pF @ 15V
puissance - max 900mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

GWM180-004X2-SMDSAM
GWM180-004X2-SMDSAM
$0 $/morceau
APTMC120HRM40CT3AG
GWM180-004X2-SLSAM
GWM180-004X2-SLSAM
$0 $/morceau
IRFP250S2453
IRFP250S2453
$0 $/morceau
APTC90DSK12T1G
GWM160-0055X1-SL
GWM160-0055X1-SL
$0 $/morceau
BUK9MNN-65PKK,518
APTM10DHM09TG
RF1S50N06SM9AS2551
IRF6702M2DTRPBF

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