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FDS6912A

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FDS6912A

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

FDS6912A Fiche de données

compliant

FDS6912A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.28342 -
5,000 $0.26492 -
12,500 $0.25566 -
25,000 $0.25062 -
1797 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8.1nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 575pF @ 15V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SIZF5300DT-T1-GE3
BSC0924NDIATMA1
FDMB3800N
FDMB3800N
$0 $/morceau
6LN04CH-TL-E-ON
6LN04CH-TL-E-ON
$0 $/morceau
APTM20AM04FG
ZXMN3G32DN8TA
DMC67D8UFDBQ-7
FDZ1827NZ
DMC2025UFDBQ-13

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