Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FDS6930B

FDS6930B

FDS6930B

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

FDS6930B Fiche de données

non conforme

FDS6930B Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.31308 -
5,000 $0.29264 -
12,500 $0.28242 -
25,000 $0.27684 -
15 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.5A
rds activé (max) à id, vgs 38mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.8nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 412pF @ 15V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

SIA921EDJ-T1-GE3
NTQD6866R2G
NTQD6866R2G
$0 $/morceau
NVMFD5489NLT1G
NVMFD5489NLT1G
$0 $/morceau
DMT3020LDV-7
NTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1G
$0 $/morceau
ALD310704SCL
FDC6310P
FDC6310P
$0 $/morceau
SIZF920DT-T1-GE3
FD6M045N06
DMP6050SSD-13

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.