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FDS8858CZ

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onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC

FDS8858CZ Fiche de données

compliant

FDS8858CZ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.45559 -
5,000 $0.43406 -
12,500 $0.41869 -
25,000 $0.41646 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.6A, 7.3A
rds activé (max) à id, vgs 17mOhm @ 8.6A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1205pF @ 15V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SI5513CDC-T1-E3
ALD210814SCL
2SJ653
2SJ653
$0 $/morceau
DMC2710UVT-7
FCAB21520L1
DMP1055UFDB-7
SIZ710DT-T1-GE3
ECH8695R-TL-W
ECH8695R-TL-W
$0 $/morceau
DMHC6070LSD-13

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