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FDS89161

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onsemi

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

FDS89161 Fiche de données

non conforme

FDS89161 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.61940 -
5,000 $0.59014 -
12,500 $0.56924 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 100V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.7A
rds activé (max) à id, vgs 105mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 4.1nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 210pF @ 50V
puissance - max 1.6W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

NX3008CBKV,115
FDSS2407S_B82086
RMD7N40DN
RMD7N40DN
$0 $/morceau
IPG20N10S4L22AATMA1
MSCSM120AM31CT1AG
2N7002PS,125
2N7002PS,125
$0 $/morceau
ZXMN2088DE6TA
RM4953
RM4953
$0 $/morceau
BSL316CH6327XTSA1

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