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FDS8958B

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onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC

FDS8958B Fiche de données

non conforme

FDS8958B Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.31392 -
5,000 $0.29342 -
12,500 $0.28318 -
25,000 $0.27759 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.4A, 4.5A
rds activé (max) à id, vgs 26mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 540pF @ 15V
puissance - max 900mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

MCH6631-TL-E-SY
MCH6631-TL-E-SY
$0 $/morceau
NVMFD5877NLT3G
NVMFD5877NLT3G
$0 $/morceau
DMC31D5UDJ-7B
EPC2106
EPC2106
$0 $/morceau
AO6608
BUK7K15-80EX
BUK7K15-80EX
$0 $/morceau
EMH2411R-TL-H
EMH2411R-TL-H
$0 $/morceau
ALD1106SBL

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