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FDV303N

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onsemi

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23

FDV303N Fiche de données

compliant

FDV303N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.07598 -
6,000 $0.06641 -
15,000 $0.05684 -
30,000 $0.05365 -
75,000 $0.05046 -
150,000 $0.04408 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 680mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.7V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 50 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 350mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Numéro de pièce associé

STR2N2VH5
STR2N2VH5
$0 $/morceau
CSD17581Q3A
CSD17581Q3A
$0 $/morceau
PSMN2R0-60PS,127
IRF614STRRPBF
IRF614STRRPBF
$0 $/morceau
STL42N65M5
STL42N65M5
$0 $/morceau
AO4496
IPB80N06S405ATMA2
IRF9510SPBF
IRF9510SPBF
$0 $/morceau
IXTA1N100P-TRL
IXTA1N100P-TRL
$0 $/morceau
NTMFS4108NT1G
NTMFS4108NT1G
$0 $/morceau

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