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FDY300NZ

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3

FDY300NZ Fiche de données

non conforme

FDY300NZ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.17118 -
6,000 $0.16014 -
15,000 $0.14909 -
30,000 $0.14136 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 600mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 1.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 60 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 625mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-89-3
paquet / étui SC-89, SOT-490
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Numéro de pièce associé

SUD23N06-31L-T4-E3
PJQ5465A_R2_00001
IPU60R1K4C6
IPP057N06N3GXKSA1
IXTK102N30P
IXTK102N30P
$0 $/morceau
IPA60R125CFD7XKSA1
SFT1341-C-TL-E
SFT1341-C-TL-E
$0 $/morceau
IXTN170P10P
IXTN170P10P
$0 $/morceau
STP32N65M5
STP32N65M5
$0 $/morceau
STP2NK100Z
STP2NK100Z
$0 $/morceau

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