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FFSB0865B

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onsemi

650V 8A SIC SBD GEN1.5

FFSB0865B Fiche de données

non conforme

FFSB0865B Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.38000 $4.38
500 $4.3362 $2168.1
1000 $4.2924 $4292.4
1500 $4.2486 $6372.9
2000 $4.2048 $8409.6
2500 $4.161 $10402.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 10.1A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) -
courant - fuite inverse @ vr 40 µA @ 650 V
capacité à vr, f 336pF @ 1V, 100kHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
package d'appareils du fournisseur D²PAK-2 (TO-263-2)
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

PMEG60T10ELPX
PMEG60T10ELPX
$0 $/morceau
S2M-HF
S2M-HF
$0 $/morceau
SR24-AU_R1_000A1
STTH102AY
STTH102AY
$0 $/morceau
P1200D-CT
P1200D-CT
$0 $/morceau
S1AB
S1AB
$0 $/morceau
RB055L-30DDTE25

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