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FQB13N06TM

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

non conforme

FQB13N06TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 13A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 135mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 310 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRL510STRR
IRL510STRR
$0 $/morceau
AUIRFS3806TRL
STW22NM60N
STW22NM60N
$0 $/morceau
IRF737LCL
IRF737LCL
$0 $/morceau
IXFK52N30Q
IXFK52N30Q
$0 $/morceau
IRL2203NPBF-INF
AOI4130
IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3

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