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FQB4N90TM

FQB4N90TM

FQB4N90TM

onsemi

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

FQB4N90TM Fiche de données

compliant

FQB4N90TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 900 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPB80N04S2H4-ATMA2
FDS6675A
IPI11N03LA
IXFH22N55
IXFH22N55
$0 $/morceau
IXFV12N80P
IXFV12N80P
$0 $/morceau
AUIRF2907ZS7PTL
IPW60R250CPFKSA1
IPI120N06S4H1AKSA1
SPB10N10L G

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