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FQB4P25TM

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onsemi

MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK

FQB4P25TM Fiche de données

non conforme

FQB4P25TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.1Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 420 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 75W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

R6030KNZC8
R6030KNZC8
$0 $/morceau
SI3483DV-T1-GE3
AON6404A
STB185N55F3
STB185N55F3
$0 $/morceau
IXTA110N055T
IXTA110N055T
$0 $/morceau
IRL3103S
IRL3103S
$0 $/morceau
IPP06CNE8N G
2SK3817-DL-E
2SK3817-DL-E
$0 $/morceau
AOL1712
PHP21N06T,127
PHP21N06T,127
$0 $/morceau

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