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FQB7P20TM

FQB7P20TM

FQB7P20TM

onsemi

MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK

FQB7P20TM Fiche de données

compliant

FQB7P20TM Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
800 $0.69130 $553.04
1,600 $0.62779 -
2,400 $0.58810 -
5,600 $0.56032 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Last Time Buy
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 690mOhm @ 3.65A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 770 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.13W (Ta), 90W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IXFT50N60X
IXFT50N60X
$0 $/morceau
ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA
$0 $/morceau
DMN2025UFDF-7
SFT1345-H
SFT1345-H
$0 $/morceau
2SK583
2SK583
$0 $/morceau
VN4012L-G
VN4012L-G
$0 $/morceau
SIA477EDJT-T1-GE3
IXFH96N20P
IXFH96N20P
$0 $/morceau
SI7148DP-T1-E3
SI7148DP-T1-E3
$0 $/morceau
EPC2069
EPC2069
$0 $/morceau

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