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FQP12P10

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onsemi

MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3

FQP12P10 Fiche de données

non conforme

FQP12P10 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.47000 $1.47
10 $1.30900 $13.09
100 $1.04140 $104.14
500 $0.81512 $407.56
1,000 $0.65059 -
108 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11.5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 290mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 800 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 75W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1
$0 $/morceau
HUF75344P3_NL
FDMC86520DC
FDMC86520DC
$0 $/morceau
TN2504N8-G
TN2504N8-G
$0 $/morceau
BUK7Y35-55B,115
BUK7Y35-55B,115
$0 $/morceau
FCPF380N60
FCPF380N60
$0 $/morceau
STD4LN80K5
STD4LN80K5
$0 $/morceau
PJA3401A_R1_00001
DMN61D8LQ-13

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