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H11F2W

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onsemi

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

H11F2W Fiche de données

compliant

H11F2W Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
nombre de canaux 1
tension - isolement 5300Vrms
rapport de transfert de courant (min) -
rapport de transfert de courant (max) -
heure d'activation/désactivation (typ) 25µs, 25µs (Max)
temps de montée/descente (typ) -
type d'entrée DC
type de sortie MOSFET
tension - sortie (max) 30V
courant - sortie / canal -
tension - directe (vf) (typ) 1.3V
courant - courant continu direct (si) (max) 60 mA
saturation vce (max) -
température de fonctionnement -55°C ~ 100°C
type de montage Through Hole
paquet / étui 6-DIP (0.400", 10.16mm)
package d'appareils du fournisseur 6-DIP
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Numéro de pièce associé

4N373SD
4N373SD
$0 $/morceau
H11AA1TM
H11AA1TM
$0 $/morceau
TIL111TM
PC815Y
PC815Y
$0 $/morceau
HCPL-4562#520
HCPL-4562#520
$0 $/morceau
CNY17F1300
CNY17F1300
$0 $/morceau

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