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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

onsemi

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

non conforme

HGTD1N120BNS9A Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.70122 -
5,000 $0.66976 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type d'IGBT NPT
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 1200 V
courant - collecteur (ic) (max) 5.3 A
courant - collecteur pulsé (icm) 6 A
vce(on) (max) à vge, ic 2.9V @ 15V, 1A
puissance - max 60 W
commutation d'énergie 70µJ (on), 90µJ (off)
type d'entrée Standard
frais de porte 14 nC
td (marche/arrêt) à 25°c 15ns/67ns
condition de test 960V, 1A, 82Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr) -
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur TO-252AA
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Numéro de pièce associé

STGP20V60F
STGP20V60F
$0 $/morceau
IKB40N65EF5ATMA1
IXGF20N300
IXGF20N300
$0 $/morceau
AOB10B60D
SGP15N60RUFTU
IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1
$0 $/morceau
IXBT32N300HV
IXBT32N300HV
$0 $/morceau
APT100GN120B2G
AOK30B60D
IKW50N65ET7XKSA1

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