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MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P

compliant

MCH6337-TL-E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.16000 $0.16
500 $0.1584 $79.2
1000 $0.1568 $156.8
1500 $0.1552 $232.8
2000 $0.1536 $307.2
2500 $0.152 $380
271304 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 49mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 670 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.5W (Ta)
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-88FL/MCPH6
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

STD9N80K5
STD9N80K5
$0 $/morceau
IXFH54N65X3
IXFH54N65X3
$0 $/morceau
CSD18510KTT
CSD18510KTT
$0 $/morceau
STP11NK50ZFP
STP11NK50ZFP
$0 $/morceau
FDPF7N60NZT
IRF60B217
IRF60B217
$0 $/morceau
IPA65R110CFDXKSA2
BSZ900N15NS3GATMA1
FCA20N60-F109
FCA20N60-F109
$0 $/morceau
RM60N75LD
RM60N75LD
$0 $/morceau

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