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MJD112T4G

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MJD112T4G

onsemi

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

MJD112T4G Fiche de données

compliant

MJD112T4G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max) 2 A
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 100 V
saturation vce (max) à ib, ic 3V @ 40mA, 4A
courant - coupure du collecteur (max) 20µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 1000 @ 2A, 3V
puissance - max 20 W
fréquence - transition 25MHz
température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur DPAK
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Numéro de pièce associé

NSV60601MZ4T1G
NSV60601MZ4T1G
$0 $/morceau
2N3440
2N3440
$0 $/morceau
PMBT4403,235
PMBT4403,235
$0 $/morceau
JANTXV2N3637UB/TR
2SC5876T106Q
2SC5876T106Q
$0 $/morceau
KSA1156OS
PUMB2/L135
PUMB2/L135
$0 $/morceau
MPSW06G
MPSW06G
$0 $/morceau
BC33840BU
BC848CE6433HTMA1

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