Welcome to ichome.com!
| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de FET | P-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 20 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 5.6A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 4.5V, 10V |
| rds activé (max) à id, vgs | 75mOhm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 46 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±20V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1400 pF @ 16 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 2.5W (Ta) |
| température de fonctionnement | - |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.