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MTW32N20E

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MTW32N20E

onsemi

MOSFET N-CH 200V 32A TO247

MTW32N20E Fiche de données

non conforme

MTW32N20E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 75mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5000 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 180W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-247
paquet / étui TO-247-3
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Numéro de pièce associé

NDD02N40T4G
NDD02N40T4G
$0 $/morceau
FDV304P_NB8U003
FDV304P_NB8U003
$0 $/morceau
NTD85N02RG
NTD85N02RG
$0 $/morceau
IPL65R660E6AUMA1
HUFA76429S3ST
HUFA76429S3ST
$0 $/morceau
IXFH24N50Q
IXFH24N50Q
$0 $/morceau
IPP80P03P4L07AKSA1
IRL3102
IRL3102
$0 $/morceau

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