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NCV5707BDR2G

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onsemi

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

compliant

NCV5707BDR2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.78300 $0.783
500 $0.77517 $387.585
1000 $0.76734 $767.34
1500 $0.75951 $1139.265
2000 $0.75168 $1503.36
2500 $0.74385 $1859.625
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
configuration pilotée High-Side and Low-Side
type de canal Single
nombre de conducteurs 1
type de portail IGBT, N-Channel MOSFET
tension - alimentation 7V ~ 20V
tension logique - vil, vih 0.75V, 4.3V
courant - puissance de sortie maximale (source, puits) 7.8A, 6.8A
type d'entrée Inverting
tension côté haut - max (bootstrap) -
temps de montée/descente (typ) 9.2ns, 7.9ns
température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

1SP0635V2M1-CM1200HC-66H
2EDN7533RXTMA1
1SP0335V2M1-FZ600R65KE3
VLA513-01
VLA513-01
$0 $/morceau
2DU180206MR02
2DU180206MR02
$0 $/morceau
TLE9183QKXUMA1

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