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NDS8852H

NDS8852H

NDS8852H

onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

NDS8852H Fiche de données

compliant

NDS8852H Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.3A, 3.4A
rds activé (max) à id, vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.8V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 300pF @ 15V
puissance - max 1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SIL2623-TP
SIL2623-TP
$0 $/morceau
BSL308PEL6327HTSA1
IRF7331
IRF7331
$0 $/morceau
SIZ790DT-T1-GE3
BSO4804T
BSO4804T
$0 $/morceau
IPA180N10N3G
AOC4810
SI8901EDB-T2-E1
DMC3061SVT-13

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