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NDSH20120C

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onsemi

SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

SOT-23

non conforme

NDSH20120C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $5.67722 $5.67722
500 $5.6204478 $2810.2239
1000 $5.5636756 $5563.6756
1500 $5.5069034 $8260.3551
2000 $5.4501312 $10900.2624
2500 $5.393359 $13483.3975
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 26A (DC)
tension - directe (vf) (max) @ if 1.75 V @ 20 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 200 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 1480pF @ 1V, 100kHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-2
package d'appareils du fournisseur TO-247-2
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

NTE177
NTE177
$0 $/morceau
ES2D-TP
ES2D-TP
$0 $/morceau
CD1408-FF11000
CD1408-FF11000
$0 $/morceau
ES2ASMA
ES2ASMA
$0 $/morceau
FSV1550V
FSV1550V
$0 $/morceau
SBR2M60S1F-7
STPSC606D
STPSC606D
$0 $/morceau
C3D16065D1
C3D16065D1
$0 $/morceau

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