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NSBA123JDP6T5G

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NSBA123JDP6T5G

onsemi

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963

non conforme

NSBA123JDP6T5G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.10305 -
312000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 2.2kOhms
résistance - base émettrice (r2) 47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition -
puissance - max 408mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-963
package d'appareils du fournisseur SOT-963
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Numéro de pièce associé

UP03397G0L
NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G
$0 $/morceau
PEMH4,115
PEMH4,115
$0 $/morceau
UMH33NTN
UMH33NTN
$0 $/morceau
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
$0 $/morceau
UMC3NT1G
UMC3NT1G
$0 $/morceau
UMD9NTR
UMD9NTR
$0 $/morceau

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