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NTB011N15MC

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onsemi

NTB011N15MC

compliant

NTB011N15MC Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.71000 $4.71
500 $4.6629 $2331.45
1000 $4.6158 $4615.8
1500 $4.5687 $6853.05
2000 $4.5216 $9043.2
2500 $4.4745 $11186.25
1578 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12.5A (Ta), 75.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 8V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 10.9mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 223µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2810 pF @ 75 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.75W (Ta), 136.4W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D²PAK-3 (TO-263-3)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

GT110N06S
GT110N06S
$0 $/morceau
IPI50N12S3L15AKSA1
IPB65R075CFD7AATMA1
IPT65R080CFD7XTMA1
R6006KNXC7G
R6006KNXC7G
$0 $/morceau
DMP3045LFVW-13
FDMS0308CS
IXTT140N075L2HV
IXTT140N075L2HV
$0 $/morceau

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