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NTBGS3D5N06C

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onsemi

POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A

non conforme

NTBGS3D5N06C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $4.44000 $4.44
500 $4.3956 $2197.8
1000 $4.3512 $4351.2
1500 $4.3068 $6460.2
2000 $4.2624 $8524.8
2500 $4.218 $10545
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 22A (Ta), 127A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V, 12V
rds activé (max) à id, vgs 3.7mOhm @ 24A, 12V
vgs(th) (max) à id 4V @ 122µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2430 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.7W (Ta), 115W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK-7
paquet / étui TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Numéro de pièce associé

IXTH13N80
IXTH13N80
$0 $/morceau
STP24NF10
STP24NF10
$0 $/morceau
IPW60R037P7XKSA1
BTS282ZE3230AKSA2
APT8043BFLLG
STI30N65M5
STI30N65M5
$0 $/morceau
5HN01S-TL-E
5HN01S-TL-E
$0 $/morceau
PMV60EN,215
PMV60EN,215
$0 $/morceau
HUFA76629D3S
FQI9N50CTU

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