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NTD4809NAT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

non conforme

NTD4809NAT4G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.20000 $0.2
500 $0.198 $99
1000 $0.196 $196
1500 $0.194 $291
2000 $0.192 $384
2500 $0.19 $475
193200 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9.6A (Ta), 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 11.5V
rds activé (max) à id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1456 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DPAK
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

AOB14N50
STD7N52K3
STD7N52K3
$0 $/morceau
DMP6023LSS-13
FDA62N28
FDP8442
FDP8442
$0 $/morceau
NVMFS5C612NLWFAFT3G
NVMFS5C612NLWFAFT3G
$0 $/morceau
PJC7404_R1_00001
FQP50N06L
FQP50N06L
$0 $/morceau
DMP4006SPSW-13
SFR9224TM

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