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NTD4959NHT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK

non conforme

NTD4959NHT4G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
7500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta), 58A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 11.5V
rds activé (max) à id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 11.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2155 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DPAK
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

DMN3028LQ-7
DMN3028LQ-7
$0 $/morceau
DMPH6250S-13
IRFW630BTM-FP001
IRFW630BTM-FP001
$0 $/morceau
TN0610N3-G
TN0610N3-G
$0 $/morceau
IRFR1010ZTRPBF
STL8N6LF6AG
STL8N6LF6AG
$0 $/morceau
DMT67M8LSS-13
SI2319CDS-T1-BE3
FQP16N25C
IRFU120NPBF

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