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NTE4151PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3

non conforme

NTE4151PT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.10282 -
6,000 $0.09294 -
15,000 $0.08307 -
30,000 $0.07813 -
75,000 $0.06973 -
150,000 $0.06726 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 760mA (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 360mOhm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±6V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 156 pF @ 5 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 313mW (Tj)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-89-3
paquet / étui SC-89, SOT-490
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Numéro de pièce associé

SI4122DY-T1-GE3
RM45P20D3
RM45P20D3
$0 $/morceau
CSD23202W10T
CSD23202W10T
$0 $/morceau
IRFP2907PBF
DMN3010LK3-13
2N6792
2N6792
$0 $/morceau
IPS80R900P7AKMA1
PJS6415_S1_00001
BSC025N03LSGATMA1
BSC072N08NS5ATMA1

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