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NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

onsemi

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

non conforme

NTHD3102CT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.26318 -
6,000 $0.24503 -
15,000 $0.23595 -
30,000 $0.23100 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A, 3.1A
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 7.9nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 510pF @ 10V
puissance - max 1.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur ChipFET™
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Numéro de pièce associé

ZXMC3A16DN8TA
SI4946BEY-T1-GE3
EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/morceau
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
BUK9K13-60EX
$0 $/morceau
IRF7389PBF
BSC0911NDATMA1
RF1S17N06L
RF1S17N06L
$0 $/morceau
CSD75208W1015
CSD75208W1015
$0 $/morceau

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