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NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G

NTHS4101PT1G

onsemi

MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET

compliant

NTHS4101PT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.36015 -
6,000 $0.33531 -
15,000 $0.32289 -
30,000 $0.31612 -
2500 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.8A (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2100 pF @ 16 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur ChipFET™
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
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Numéro de pièce associé

FQPF7N65CYDTU
FQPF7N65CYDTU
$0 $/morceau
NVMFS5C460NLAFT3G
NVMFS5C460NLAFT3G
$0 $/morceau
PJD18N20_L2_00001
AOT288L
APT5010JVFR
IRLL014NTRPBF
IXTA130N15X4
IXTA130N15X4
$0 $/morceau
IRF7749L1TRPBF
IXTN110N20L2
IXTN110N20L2
$0 $/morceau
FDP22N50N
FDP22N50N
$0 $/morceau

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