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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

onsemi

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

compliant

NTJD1155LT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.13145 -
6,000 $0.12386 -
15,000 $0.11627 -
30,000 $0.10716 -
75,000 $0.10336 -
1254 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 8V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.3A
rds activé (max) à id, vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 400mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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Numéro de pièce associé

FDS6993
FDS6993
$0 $/morceau
NTUD3169CZT5G
NTUD3169CZT5G
$0 $/morceau
NX1029XH
NX1029XH
$0 $/morceau
PMDT290UCEH
PMDT290UCEH
$0 $/morceau
BSM250D17P2E004
DMN6066SSD-13
DMP4025LSD-13
DMP31D7LDWQ-7
STL8DN10LF3
STL8DN10LF3
$0 $/morceau
PMGD175XN,115
PMGD175XN,115
$0 $/morceau

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