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NTLJF4156NT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN

compliant

NTLJF4156NT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.18619 -
6,000 $0.17417 -
15,000 $0.16216 -
30,000 $0.15375 -
77000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.5A (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 6.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 427 pF @ 15 V
fonctionnalité FET Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max) 710mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-WDFN (2x2)
paquet / étui 6-WDFN Exposed Pad
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Numéro de pièce associé

DMP6250SE-13
IXTT20P50P
IXTT20P50P
$0 $/morceau
FDFS2P753AZ
NTMFS5C442NT1G
NTMFS5C442NT1G
$0 $/morceau
NTH4L027N65S3F
NTH4L027N65S3F
$0 $/morceau
MSC70SM120JCU3
FDMA910PZ
FDMA910PZ
$0 $/morceau
SQJ488EP-T2_BE3
FCU850N80Z
FCU850N80Z
$0 $/morceau

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