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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N and P-Channel |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 100V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | - |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 222pF @ 50V, 525pF @ 50V |
| puissance - max | 1.6W (Ta), 3.1W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
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