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NTMD6N02R2

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

non conforme

NTMD6N02R2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.45640 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 20V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.92A
rds activé (max) à id, vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1100pF @ 16V
puissance - max 730mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

SP8M6TB
SP8M6TB
$0 $/morceau
AO5804E
IRF7329TR
IRF7329TR
$0 $/morceau
AO4822
AON6973A
BSS138DW-7
BSS138DW-7
$0 $/morceau
SI6943BDQ-T1-E3
IRF7756TRPBF
NDS9952A
HCT802TX

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