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NTMFD0D9N02P1E

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onsemi

IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

non conforme

NTMFD0D9N02P1E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V, 25V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14A (Ta), 30A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
puissance - max 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
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Numéro de pièce associé

FDG6304P-X
FDG6304P-X
$0 $/morceau
JANTXV2N7334
VHM40-06P1
VHM40-06P1
$0 $/morceau
MSCMC170AM08CT6LIAG
JANTXV2N7335
IRF630BTSTU
BSZ0908NDXTMA2
FF2MR12KM1HP
MCH6605-TL-EX
MCH6605-TL-EX
$0 $/morceau

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