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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
fonctionnalité FET | Standard |
Tension drain-source (vdss) | 30V, 25V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 14A (Ta), 30A (Ta) |
rds activé (max) à id, vgs | 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 2V @ 340µA, 2V @ 1mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V |
puissance - max | 960mW (Ta), 1.04W (Ta) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
paquet / étui | 8-PowerWDFN |
package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
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