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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 25V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 2V @ 250µA, 2V @ 800µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V |
| puissance - max | 960mW (Ta), 1W (Ta) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-PowerWDFN |
| package d'appareils du fournisseur | 8-PQFN (5x6) |
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