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NTMFS3D2N10MDT1G

NTMFS3D2N10MDT1G

NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE

compliant

NTMFS3D2N10MDT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.38000 $3.38
500 $3.3462 $1673.1
1000 $3.3124 $3312.4
1500 $3.2786 $4917.9
2000 $3.2448 $6489.6
2500 $3.211 $8027.5
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Ta), 142A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 316µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 71.3 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3900 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Ta), 155W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

SUD80460E-BE3
SUD80460E-BE3
$0 $/morceau
GT100N12D5
GT100N12D5
$0 $/morceau
IPC300N15N3RX2MA1
RF1S640
RF1S640
$0 $/morceau
DMT10H009LPS-13
FDC796N
FDC796N
$0 $/morceau
2SJ609
2SJ609
$0 $/morceau
IRFR9220PBF-BE3

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